| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
25000 |
23+ |
原装正品,假一赔十! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
45000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
17000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
45000 |
21+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
75275 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
6820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
75169 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VBsemiTO263 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国SOT-263 |
1137 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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更多IRL2505STRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2505STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2505STRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
