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IRL1404	文件：124.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign,providethedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤4.0mΩ •Enhancementmode •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL1404L	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-R Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404LPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404S	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-R Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404SPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404SPFF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404Z	文件：648.46 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404ZL	文件：648.46 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404ZLPBF	文件：793.38 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404ZPBF	文件：793.38 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404ZS	文件：648.46 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404ZSPBF	文件：793.38 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404PBF	文件：133.25 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 4.0m廓 , ID = 160A )	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404PBF	文件：219.46 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404PBF_15	文件：219.46 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404S	文件：299.06 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL1404SPBF	文件：654.28 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404SPBF_15	文件：654.28 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL1404Z	文件：263.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRL1404
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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