选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 263 |
161300 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-263 |
897 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
28959 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
18000 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRL1104S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL1104S图片
IRL1104S资讯
IRL1104S MOSFET N-CH 40V 104A SOT263 IR国际整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL1104S40V104A
IRL1104S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL1104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1104SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1104STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1104STRLPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1104STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件