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IRGP4263D-EPbF中文资料PDF规格书

IRGP4263D-EPbF
厂商型号

IRGP4263D-EPbF

参数属性

IRGP4263D-EPbF 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V 90A 325W TO-247

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件大小

929.42 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-29 17:08:00

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP4263D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,48A

  • 开关能量:

    2.9mJ(开),1.4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    70ns/140ns

  • 测试条件:

    400V,48A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 650V 90A 325W TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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