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IRGP20B120U-EP中文资料PDF规格书

IRGP20B120U-EP
厂商型号

IRGP20B120U-EP

参数属性

IRGP20B120U-EP 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT NPT 1200V 40A TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

177.47 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 22:30:00

IRGP20B120U-EP规格书详情

Features

• UltraFast Non Punch Through (NPT) Technology

• 10 µs Short Circuit capability

• Square RBSOA

• Positive VCE(on) Temperature Coefficient

• Extended lead TO-247 package

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark efficiency above 20KHz

• Optimized for Welding, UPS, and Induction Heating applications

• Rugged with UltraFast performance

• Low EMI

• Significantly Less Snubber required

• Excellent Current sharing in Parallel operation

• Longer leads for easier mounting

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP20B120U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4.85V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    850µJ(开),425µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,20A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 40A TO247AD

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