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IRG7PH46U-EP	文件：388.69 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UPBF	文件：388.69 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UD-EP	文件：443.75 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UDPBF	文件：443.75 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UDPBF	文件：344.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UDPBF_15	文件：344.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UPBF	文件：295.63 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UPBF_15	文件：295.63 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH46UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A 390W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG7PH46U-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1200V 130A TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG7PH46UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 130A 469W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG7PH46U-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
2.56mJ（开），1.78mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/410ns
测试条件：
600V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT TRENCH 1200V 130A TO247AD

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