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深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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IRG4PSH71K其他被动元件

IRTO 247

161552

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRTO247

300

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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IRSUPER247

65400

23+

深圳市桐芯微电子有限公司

2年 留言
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INFINEON/英飞凌SUPER-247

2261

22+

专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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IRTO

6000

22+

终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市永贝尔科技有限公司

7年 留言
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IRFNA

19960

23+

只做进口原装,终端工厂免费送样

深圳市安富世纪电子有限公司

4年 留言
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IRTO

8000

23+

只做原装现货

深圳市品优时代科技有限公司

5年 留言
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INFINEON/IRNA

225

1907+

20年老字号,原装优势长期供货

深圳市柯尔基电子有限公司

10年 留言
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IRSUPER-24

29840

23+24

主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管

深圳市科恒伟业电子有限公司

9年 留言
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IR5647

6523

1816+

科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!

深圳好佳好科技有限公司

13年 留言
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IRTO-247

12000

1305+

公司特价原装现货

深圳市华斯顿科技有限公司

14年 留言
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IRSUPER-247

28724

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

标准国际(香港)有限公司

16年 留言
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INFINEON

34

0927, 1120

公司优势库存 热卖中!

深圳市恒凯威科技开发有限公司

8年 留言
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INFINEON/英飞凌NA

12820

21+

只做原装,质量保证

深圳市恒达亿科技有限公司

10年 留言
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IRTO3P

4500

23+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市毅创腾电子科技有限公司

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IRTO3P

5700

23+

绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!

深圳诚思涵科技有限公司

9年 留言
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IRTO-247

85600

18+

保证进口原装可开17%增值税发票

深圳市特顺芯科技有限公司

15年 留言
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IRSuper-247-3(Straigh

62

07+/08+

深圳市锦喆鸿电子有限公司

5年 留言
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IRTO-247

12588

21+

原装正品,自己库存 假一罚十

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRSUPER-247

35890

23+

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IRG4PSH71KPBF价格

IRG4PSH71KPBF价格:¥52.5099品牌:INTERNATIONAL

生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRG4PSH71KPBF多少钱,想知道IRG4PSH71KPBF价格是多少?参考价:¥52.5099。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG4PSH71KPBF批发价格及采购报价,IRG4PSH71KPBF销售排行榜及行情走势,IRG4PSH71KPBF报价。

IRG4PSH71UD中文资料Alldatasheet PDF

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IRG4PSH71制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

IRG4PSH71K制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT

IRG4PSH71KD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

IRG4PSH71KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IRG4PSH71KPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IRG4PSH71U功能描述:IGBT UFAST 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

IRG4PSH71UD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

IRG4PSH71UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IRG4PSH71UPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube