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IRG4PH40UD	文件：220.5 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2	文件：248.84 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedformediumoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast, u	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-E	文件：251.63 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto200kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast, ultra-soft-recoveryanti-paralleldiodesforusein resonantcircuit •IndustrystandardTO-247ADpackagewith extendedleads Benefits •Hi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EP	文件：231.09 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFastIGBTOptimizedforhighoperating frequenciesupto200kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-paralleldiodesforusein bridgeconfigurations •IndustrystandardTO-247ACpackagewithextendedleads •Lead-F	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EP	文件：240.21 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFastIGBTOptimizedforhighoperating frequenciesupto200kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-paralleldiodesforusein bridgeconfigurations •IndustrystandardTO-247ACpackagewithextendedleads •Lead-F	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EPBF	文件：240.21 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFastIGBTOptimizedforhighoperating frequenciesupto200kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-paralleldiodesforusein bridgeconfigurations •IndustrystandardTO-247ACpackagewithextendedleads •Lead-F	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2PBF	文件：268.07 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UDPBF	文件：677.53 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EPBF	文件：240.21 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EPBF_15	文件：240.21 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UDPBF	文件：261.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UDPBF_15	文件：261.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40UD2-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4PH40UD-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4PH40UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
4PH40	文件：40.59 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEFULLWAVEBRIDGE4AMPERESFORP.C.BOARDANDHEATSINKMOUNTING	edi edi	edi
IRG4PH40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40K	文件：157.57 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.74V,@Vge=15V,Ic=15A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PH40KD	文件：217.59 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.47V,@Vge=15V,Ic=15A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRG4PH40UD
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT TO-247

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