| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-247 |
1365 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
3500 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌TO-247(AC) |
6000 |
21+ |
原装现货正品 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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IRTO-247 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4450 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-3P |
9896 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-247 |
19800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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IRTO-247 |
1365 |
12+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
28607 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-247 |
10000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
IRG4PH30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4PH30图片
IRG4PH30KDPBF价格
IRG4PH30KDPBF价格：￥12.3324品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRG4PH30KDPBF多少钱，想知道IRG4PH30KDPBF价格是多少？参考价：￥12.3324。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4PH30KDPBF批发价格及采购报价，IRG4PH30KDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4PH30KDPBF报价。
IRG4PH30KPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4PH30制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30K功能描述:IGBT UFAST 1200V 20A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH30KD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 20A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH30KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PH30KPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
