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IRG4PC30KPBF	文件：261.149 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30KPBF	文件：252.19 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30S	文件：120.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30SPBF	文件：249.71 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30SPBF	文件：250.67 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30U	文件：145.77 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) UltraFastSpeedIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30UD	文件：211 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：273.62 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT UltraFastSpeedIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30W	文件：123.28 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：254.39 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC30UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
开关能量：
380µJ（开），160µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/91ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO247AC

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