| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3400 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-263 |
150 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
10 |
23+ |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRSOT263 |
16844 |
23+24 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRD2-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
4675 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRSOT-263 |
8750 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
3701 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
IRG4BC30U-S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4BC30U-S图片
IRG4BC30U-S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC30U-S功能描述:IGBT UFAST 600V 23A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC30U-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30U-STRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC30U-STRRP功能描述:IGBT 模块 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC30U-S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
160µJ（开），200µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/78ns
- 测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
