| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRD2-pak |
44 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
IRTO-220AB |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
|
Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
IRTO-220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
IRTO-220 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
IRTO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
179 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220AB |
6040 |
23+ |
全新原装 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
IRTO-220 |
35890 |
23+ |
||||
|
深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220 |
25450 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
||||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
IRTO-220-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
IRFZ46Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFZ46Z图片
IRFZ46ZLPBF价格
IRFZ46ZLPBF价格：￥4.9044品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFZ46ZLPBF多少钱，想知道IRFZ46ZLPBF价格是多少？参考价：￥4.9044。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ46ZLPBF批发价格及采购报价，IRFZ46ZLPBF销售排行榜及行情走势，IRFZ46ZLPBF报价。
IRFZ46Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ46Z功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46ZL功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46ZLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46ZS功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ46ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ46ZSPBF功能描述:MOSFET 55V SINGLE N-CH 13.6mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ46ZSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
