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IRFZ34NSPBF
厂商型号

IRFZ34NSPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

296.19 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-20 23:26:00

IRFZ34NSPBF规格书详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ34NS)

● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRFZ34NSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
TO-263-2
10000
全新原装现货
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Infineon/英飞凌
21+
TO-263-2
6000
原装现货正品
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IR
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80000
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VBSEMI/台湾微碧
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D2PAK
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
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IR
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TO-263-2
5200
公司原装现货/支持实单
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Infineon(英飞凌)
23+
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