IRFZ24L中文资料PDF规格书
IRFZ24L规格书详情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24S)
Low-profile through-hole (IRFZ24L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
产品属性
- 型号：
IRFZ24L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
PLCC-44 |
18000 |
询价 | |||
ph |
22+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IOR |
2016+ |
TO220 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
INTERNATIONA |
06+ |
原厂原装 |
6016 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
SEC |
23+ |
TO-220 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
2017+ |
TO-220 |
65895 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 |
