IRFU9N20D中文资料PDF规格书
IRFU9N20D规格书详情
SMPS MOSFET
Benefits
• Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
• Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
• High frequency DC-DC converters
产品属性
- 型号：
IRFU9N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
ADI |
2022+ |
LQFP |
6000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-251 |
1500 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
69 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
I-PAK |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-251 |
1500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IR |
2022 |
TO-251 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO251 |
73093 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
04+ |
692 |
优势货源原装正品 |
询价 |
