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IRFU210	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU210	文件：171.11 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) DESCRIPTION ThirdGenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraigh	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU210	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU210	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR210,SiHFR210) •Straightlead(IRFU210,SiHFU210) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU210B	文件：655.26 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU210PBF	文件：2.15484 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU210PBF	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU210PBF	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU210PBF	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
210	文件：602.94 Kbytes Page：2 Pages	AUTO-DIP짰SwitchAutomaticallyInsertable,WaveSolderable,BoardWashableDIPSwitch	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
210	文件：286.71 Kbytes Page：3 Pages	Thru-BoltsandMountingBrackets	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
210	文件：178.33 Kbytes Page：2 Pages	M8Female3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
210	文件：290.6 Kbytes Page：5 Pages	DirectreplacementforT3쩌MidgetEdisonScrewE10	MARL Marl International Ltd	MARL
210GR	文件：178.33 Kbytes Page：2 Pages	M8Female3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
210R	文件：396.47 Kbytes Page：1 Pages	THINFILMSERIES	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
210XK	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
210XM	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AB210S	文件：778.76 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
AB210S	文件：504.53 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
ABF210	文件：255.08 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifier	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
IRFU210
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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