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IRFR9N20DPBF中文资料PDF规格书
IRFR9N20DPBF规格书详情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRFR9N20DPBF
- 功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
1497 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
TO-252 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
询价 | |||
IR |
2024+实力库存 |
TO-252 |
327 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR/INFINEON |
2122+ |
TO252 |
10000 |
全新原装进口,价格美丽 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DPAK |
12300 |
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IR |
22+ |
TO |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
询价 | ||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
36218 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
9600 |
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询价 |
