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IRFR4105中文资料PDF规格书

厂商型号	IRFR4105
功能描述	Ultra Low On-Resistance
文件大小	3.74603 Mbytes
页面数量	10 页
生产厂商	Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称	KERSEMI
中文名称	Kersemi Electronic Co., Ltd.官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-16 9:48:00

IRFR4105规格书详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for throughhole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

● Ultra Low On-Resistance

● Surface Mount (IRFR4105)

● Straight Lead (IRFU4105)

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

产品属性

型号：
IRFR4105
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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