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IRLR3410PBF	文件：290.17 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3410PBF	文件：291.13 Kbytes Page：11 Pages	LogicLevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3410TR	文件：468.78 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
IRLR3410TRPBF	文件：979.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLR3410TRPBF	文件：291.13 Kbytes Page：11 Pages	LogicLevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLRU3410	文件：167.06 Kbytes Page：10 Pages	LogicLevelGateDrive/FullyAvalancheRated	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3410	文件：158.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3410	文件：247.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3410	文件：921.5 Kbytes Page：10 Pages	LogicLevelGateDrive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLU3410PBF	文件：290.17 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3410PBF	文件：1.01315 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSMD3410	文件：646.16 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3410	文件：646.52 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LA3410	文件：449.21 Kbytes Page：13 Pages	VCONon-AdjustingPLLFMMPXStereoDemodulatorwithFMAccessories Overview TheLA3410isamultiplexdemodulatorICdesignedforFMstereotuner.ItfeaturestheVCOnon-adjustingfunctionthateliminatestheneedtoadjustthefree-runningfrequencyofVCO. Applications •Homestereos,portablehi-fisets. Functions •VCOnon-adjustingfu	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LM3410	文件：172.82 Kbytes Page：6 Pages	525kHz/1.6MHz,ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3410	文件：715.29 Kbytes Page：32 Pages	PowerWise짰525kHz/1.6MHz,ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3410	文件：1.39806 Mbytes Page：49 Pages	525kHz/1.6MHz,ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM3410	文件：1.49159 Mbytes Page：49 Pages	ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM3410	文件：1.48305 Mbytes Page：44 Pages	525kHz/1.6MHz,ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM3410Q	文件：1.39806 Mbytes Page：49 Pages	525kHz/1.6MHz,ConstantCurrentBoostandSEPICLEDDriverwithInternalCompensation	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
IRFR3410TRRPBF
功能描述：
MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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