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KAQY214STR	文件：255.89 Kbytes Page：12 Pages	4PIN400VN.OTYPESOLIDSTATERELAY-MOSFETOutput	COSMO cosmo-k	COSMO
KAQY214STRU	文件：255.89 Kbytes Page：12 Pages	4PIN400VN.OTYPESOLIDSTATERELAY-MOSFETOutput	COSMO cosmo-k	COSMO
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KAQY214TRU	文件：255.89 Kbytes Page：12 Pages	4PIN400VN.OTYPESOLIDSTATERELAY-MOSFETOutput	COSMO cosmo-k	COSMO
KDV214	文件：349.87 Kbytes Page：1 Pages	USCPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode SiliconEpitaxialPlanarDiode Features •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.5(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=0.4Ω(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KDV214	文件：358.41 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(TVTUNING) TVTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.5(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=0.4Ω(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214A	文件：349.72 Kbytes Page：1 Pages	USCPACKAGE TVTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.3(Min.) •LowSeriesResistance:rS=0.57Ω(Max.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214E	文件：77.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214E	文件：355.88 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(TVTUNING) TVTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.3(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=0.57Ω(Max.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214EA	文件：49.51 Kbytes Page：1 Pages	ESCPACKAGE TVTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.3(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=0.57Ω(Max.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214V	文件：14.67 Kbytes Page：1 Pages	VSCPACKAGE Markingmethod LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV214VA	文件：14.75 Kbytes Page：1 Pages	VSCPACKAGE Markingmethod LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRX214U	文件：91.73 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●IncludingtwodevicesinUS6. (UltraSuperminitypewith6leads.) ●WithBuilt-inbiasresistors. ●Simplifycircuitdesign. ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSR214GLFS	文件：158.94 Kbytes Page：2 Pages	SubminiatureTactSwitchforSMT	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
KV214	文件：177.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerWirewoundCeramicResistors,vertical	VITROHM Yageo Europe GmbH	VITROHM
L-214ED	文件：125.33 Kbytes Page：1 Pages	1.8mmDiaTOWERTYPELEDLAMP	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
L-214GD	文件：125.33 Kbytes Page：1 Pages	1.8mmDiaTOWERTYPELEDLAMP	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
IRFR214TRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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