IRFR214TRPBF规格书批发供应威世科技第6页-114ic电子网

首页 >IRFR214TRPBF>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
ATP214	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET 60V,75A,8.1mΩ,SingleATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)1=6.2mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=4850pF(typ.) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP214-TL-H	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET 60V,75A,8.1mΩ,SingleATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)1=6.2mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=4850pF(typ.) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP214-TL-H	文件：481.77 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATTINY214	文件：3.94518 Mbytes Page：497 Pages	AVR짰MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower짰Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRFR214TRR	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR214TRRA	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR214TRRPBFA	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR214,SiHFR214) •Straightlead(IRFU214,SiHFU214) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：340.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU214	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU214	文件：169.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.2A) HEXFET®PowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=2.2A	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU214	文件：52.94 Kbytes Page：6 Pages	2.2A,250V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFU214B	文件：647.48 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU214PBF	文件：2.14295 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET HEXFET®PowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR214) •StraightLead(IRFU214) •AvailableinTape&Reel •FastSwitching •EaseofParalleling •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU214PBF	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214PBF	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214PBF	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRXXH214	文件：119.62 Kbytes Page：6 Pages	POWIRLIGHTTMREFERENCEDESIGN:COMPACTBALLAST	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

<<<1 2 3 4 567 8 9 10 11 >>>

详细参数

型号：
IRFR214TRPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFR214TRPBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市福田区晶康业电子商行	IRFR214TRPBF	IR	01+	SOT252	7500	全新原装,价格优势	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRFR214TRPBF	IR	2024+实力库存	TO-252	6000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市慧业盛科技有限公司	IRFR214TRPBF	VIS	23+	N/A	58000	原装原装原装哈	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFR214TRPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-252	9203	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳好佳好科技有限公司	IRFR214TRPBF	IR	1305+	SOT252	12000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFR214TRPBF	IR	23+	D-PAK	19526		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRFR214TRPBF	IR	2017+	TO-252	44558	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRFR214TRPBF	VISHAY	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRFR214TRPBF	IR	23+		1018	D-PAK	询价

更多IRFR214TRPBF供应商更新时间2024-5-22 11:19:00

详细参数

相关规格书

相关库存