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AQY214SX	文件：641.66 Kbytes Page：3 Pages	MiniatureSOP4-pintypeof60V/350V/400Vloadvoltage FEATURES 1.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylow closed-circuitoffsetvoltagetoenable controloflow-levelanalogsignalswithout distortion. 2.SmallSOP4-Pinpackage ThedevicecomesinaminiatureSOP4- pintypemeasuring(W)4.3	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY214SZ	文件：641.66 Kbytes Page：3 Pages	MiniatureSOP4-pintypeof60V/350V/400Vloadvoltage FEATURES 1.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylow closed-circuitoffsetvoltagetoenable controloflow-levelanalogsignalswithout distortion. 2.SmallSOP4-Pinpackage ThedevicecomesinaminiatureSOP4- pintypemeasuring(W)4.3	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY214SZ	文件：37.02 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormA)4-PinType FEATURES 1.SOpackage4-Pintypeinsuperminiaturedesign Thedevicecomesinasuper-miniature SOpackage4-Pintypemeasuring (W)4.3×(L)4.4×(H)2.1mm(W).169× (L).173×(H).083inch—approx.70of thevolumeand70ofthefootprintsize ofSOpackage6-pintypePh	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
ASW214	文件：1.25159 Mbytes Page：13 Pages	MMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASW214	文件：350.43 Kbytes Page：12 Pages	5~8000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AT214	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AT214	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AT-214	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	ATTENUATORS//SWIITCHES	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
ATP214	文件：351.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=6.2mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=4850pF(typ.) •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP214	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET 60V,75A,8.1mΩ,SingleATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)1=6.2mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=4850pF(typ.) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP214-TL-H	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET 60V,75A,8.1mΩ,SingleATPAK Features •ON-resistanceRDS(on)1=6.2mΩ(typ.) •4Vdrive •Protectiondiodein •InputCapacitanceCiss=4850pF(typ.) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP214-TL-H	文件：481.77 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATTINY214	文件：3.94518 Mbytes Page：497 Pages	AVR짰MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower짰Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRFU214	文件：340.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU214	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU214	文件：169.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.2A) HEXFET®PowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=2.2A	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU214	文件：52.94 Kbytes Page：6 Pages	2.2A,250V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFU214	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU214	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR214,SiHFR214) •Straightlead(IRFU214,SiHFU214) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRFR214TR
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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