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IRFR13N15DPBF中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
IRFR13N15DPBF
- 功能描述:
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
DPAK |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
9328 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-252 |
7793 |
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IR |
21+ |
TO-252 |
35200 |
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IR |
23+ |
DPAK |
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NA |
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IR |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
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IR |
2021+ |
TO-252 |
100500 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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IR |
23+ |
DPAK |
10000 |
公司只做原装正品 |
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