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IRFPG40	文件：46.76 Kbytes Page：6 Pages	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFPG40	文件：167.5 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectfierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPG40	文件：1.55707 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40PBF	文件：866.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A ) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPG40PBF	文件：1.55707 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40_V01	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40PBF	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFPG40
功能描述：
MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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