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IRFPC50LC	文件：333.89 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFPC50LC_V01	文件：643.8 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFPC50LCPBF	文件：1.59553 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRFPC50LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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