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AOD460	文件：515.159 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD460	文件：318.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD460L	文件：126.06 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD460usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD460isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI460	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI460	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT460	文件：1.28919 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT460	文件：304.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=85A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT460	文件：187.75 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT460	文件：71.31 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT460/LusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinUPS,highcurrentswitchingapplications. AOT460andAOT460Lareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -HalogenFree Features	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU460	文件：79.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU460usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU460isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU460	文件：352.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU460L	文件：79.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU460usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU460isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ARF460A	文件：78.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFETs RFPOWERMOSFETs N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF460AandARF460BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlineara	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF460A	文件：144.04 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARF460AG	文件：144.04 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARF460B	文件：144.04 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARF460B	文件：78.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFETs RFPOWERMOSFETs N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF460AandARF460BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz.Theyhavebeenoptimizedforbothlineara	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF460BG	文件：144.04 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ASIMRF460	文件：19.08 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF460isDesignedfor12.5VoltPowerAmplifierApplicationsupto30MHz. FEATURESINCLUDE: •Omnigold™MetalizationSystem •PG=12dBMin.@30MHz&40W •Efficiency40	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
AT460	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
IRFP460APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	IRFP460APBF	VISHAY	22+23+	TO-247	28000	全新原装公司.柜台现货.特价热卖!绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRFP460APBF	IR	13+	TO-247	10000	深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFP460APBF,欢迎咨询洽谈。	询价
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