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IRFP3703	文件：236.29 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0028ohm, Id=210A?? SMPSMOSFET Benefits ●LowGateImpedancetoReduceSwitchingLosses ●FullyAvalancheRated ●UltraLowOn-Resistance Applications ●SynchronousRectification ●ActiveORing	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3703	文件：334.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SynchronousRectification •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.8mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3703PBF	文件：219.6 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFP3703PBF_15	文件：220.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous Rectification	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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3703-CA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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AM3703CBC	文件：3.25437 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AM3703CBCA	文件：3.25437 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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AM3703CBP	文件：2.44803 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
IRFP3703
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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