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IRFP350LC	文件：333.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP350LC	文件：1.34866 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LC	文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LC	文件：409.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET ransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LC_V02	文件：1.34866 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LC_V01	文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LCPBF	文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP350LCPBF	文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
350	文件：105.86 Kbytes Page：2 Pages	9x14mmDifferentialPECLHighFrequencyVCXO(416MHzto832MHz)	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
350	文件：182.95 Kbytes Page：4 Pages	LowInductance,Radial,AluminumElectrolyticHighFrequency,SolidAluminumTop	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
350	文件：879.41 Kbytes Page：68 Pages	CeleronMProcessoron90nmProcess	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
350	文件：116.48 Kbytes Page：1 Pages	HEADERSTRIPS.100??GridSolderTailSingleRow	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.	MILL-MAX
350	文件：1.75778 Mbytes Page：82 Pages	CeleronDProcessor	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
350	文件：207.46 Kbytes Page：5 Pages	HighFrequency,SolidAluminumTop	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
350	文件：143.99 Kbytes Page：3 Pages	ProgrammableXO	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
350A	文件：3.47095 Mbytes Page：51 Pages	NoiseFilters	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
350B	文件：458.58 Kbytes Page：2 Pages	ACvoltageandcurrentmeasurements	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
350BBS	文件：1.1008 Mbytes Page：6 Pages	SB®350ConnectorsUpto500Amps TheSB®350isthelargestconnectorintheserieswith powercapabilitiesupto500ampswitha350mcmwire. Wiresrangingfrom1/0to350mcm(53.5to185mm²) fitintotheonepiecehousingavailableinstandardPCor achemicalresistantPBT/PCblend.Silverplatedwireor busbarcontact	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
350CJ	文件：186.66 Kbytes Page：2 Pages	Fast-ActingCeramicBody,ClassJ	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司	COOPER

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详细参数

型号：
IRFP350LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 16 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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