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IRFP31N50LPBF	文件：158.19 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFBA31N50L	文件：41.64 Kbytes Page：3 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP31N50L	文件：95.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)typ.=0.15ohm,Id=31A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●LowTrrandSoftDiodeRecovery ●HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Applications ●Swit	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFP31N50L	文件：201.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP31N50L	文件：445.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.18Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFP31N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 31 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFP31N50LPBF供应商更新时间2024-5-1 14:14:00

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