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IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL4105PBF	文件：498.91 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4105PBF_15	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
4105	文件：90.94 Kbytes Page：1 Pages	RelampableSocket	VCC Visual Communications Company	VCC
ACTR4105	文件：58.89 Kbytes Page：3 Pages	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
AN4105	文件：368.51 Kbytes Page：22 Pages	DesignConsiderationsforSwitchedModePowerSuppliesUsingAFairchildPowerSwitch(FPS)inaFlybackConverter Introduction Flybackswitchedmodepowersupplies(SMPS)areamongthemostfrequentlyusedpowercircuitsinhouseholdandconsumerelectronics.ThebasicfunctionofanSMPSistosupplyregulatedpowertotheloadonthesecondary,oroutputside.AnSMPStypicallyincorporatesapowertransfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AUIRFR4105	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105	文件：4.78457 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR4105	文件：441.74 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR4105TR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105TRL	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105TRR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105Z	文件：4.67522 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR4105Z	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR4105Z	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105ZTR	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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详细参数

型号：
IRFL4105PBF
功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFL4105PBF供应商更新时间2024-6-17 16:36:00

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