IRFL4105中文资料PDF规格书
IRFL4105规格书详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Surface Mount
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRFL4105
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
2022+ |
SOT22 |
5000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOT-223 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOT-223 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IOR |
2020+ |
SOT22 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
NA |
19+ |
74890 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | |||
2322+ |
NA |
33220 |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
询价 | |||
IR |
22+ |
S0T-223 |
2679 |
原装优势!绝对公司现货!可长期供货! |
询价 | ||
IR |
1816+ |
SOT223 |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT-223 |
4000 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOT-223 |
3500 |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
询价 |
