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IRFIB7N50A中文资料PDF规格书

IRFIB7N50A
厂商型号

IRFIB7N50A

功能描述

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=6.6A)

文件大小

96.01 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 14:31:00

IRFIB7N50A规格书详情

VDSS 500V

Rds(on) max 0.52Ω

ID 6.6A

Benefits

● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement

● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

● Effective Coss specified ( See AN 1001)

Applications

● Switch Mode Power Supply ( SMPS )

● Uninterruptable Power Supply

● High speed power switching

● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS‡

产品属性

  • 型号:

    IRFIB7N50A

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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