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IRFI630G中文资料PDF规格书

IRFI630G
厂商型号

IRFI630G

功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A)

文件大小

176.76 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 20:17:00

IRFI630G规格书详情

200V N-Channel MOSFET

产品属性

  • 型号:

    IRFI630G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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