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IRFH5007TR2PBF	文件：340.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET FeaturesandBenefits Features LowRDSon(≤5.9mΩ) LowThermalResistancetoPCB(≤0.5°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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制造商&上传企业

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IRFH5007TR2PBF

文件：340.71 Kbytes

Page：8 Pages

HEXFET Power MOSFET

FeaturesandBenefits Features LowRDSon(≤5.9mΩ) LowThermalResistancetoPCB(≤0.5°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalo

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

详细参数

型号：
IRFH5007TR2PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 70V 100A 5.9mOhm 65nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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