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AT-310	文件：64.94 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(SMAType) ■Features 1.AbundantVariationsofAttenuators Attenuationamountsareavailableinabundantvariationsfrom0to4dBin0.5dBsteps,from4to10dBin1dBsteps,andin12,13,15,20,26and30dBsothatlevelscanbefinelyadjusted. 2.SMAType Thecouplingportionsareavaila	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
AT310XS	文件：50.92 Kbytes Page：1 Pages	T3/DS3/E3/STS-1TRANSFORMERSEXTENDEDTEMPERATURERANGE	MPSINDMPS Industries, Inc. 美国芯源	MPSIND
ATAVRMC310	文件：2.89229 Mbytes Page：9 Pages	8-bitMicrocontrollers	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATX-H310A	文件：524.48 Kbytes Page：2 Pages	ATXIndustrialMotherboardwith8th/9thGenerationIntel®Core™Processor,DDR4DRAM,Option:4GLTEFunction Features ■8th/9thGenerationIntel®Core™LGA1151Processor ■SupportsMax.TDP6Core95W ■DDR42666/2400/2133MHz,max.64GB ■TwoIndependentDisplays:HDMIx1,VGAx1,DPx1 ■DualIntel®GigabitEthernet,i210ATx1,i219Vx1 ■USB3.2Gen1portsx4,USB2.0portsx5 ■M.22280	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
AUSCD310H	文件：39.86 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
AVN310N	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AZT310HVI	文件：138.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BFG310	文件：73.69 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W	文件：168.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features Highpowergain Lownoisefigure Hightransitionfrequency Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications IntendedforRadioFrequency(RF)fro	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG310W/XR	文件：168.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features Highpowergain Lownoisefigure Hightransitionfrequency Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications IntendedforRadioFrequency(RF)fro	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG310W/XR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG310XR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BFG310-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU310	文件：134.03 Kbytes Page：2 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGA310	文件：20.55 Kbytes Page：4 Pages	SiliconBipolarMMIC-Amplifier(Cascadable50W-gainblock9dBtypicalgainat1.0GHz9dBmtypicalP-1dBat1.0GHz3dB-bandwidth:DCto2.4GHz) SiliconBipolarMMIC-Amplifier Preliminarydata •Cascadable50Ω-gainblock •9dBtypicalgainat1.0GHz •9dBmtypicalP-1dBat1.0GHz •3dB-bandwidth:DCto2.4GHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BPS310	文件：587.54 Kbytes Page：5 Pages	BPS310Series-12mmUncompensatedLowPressureSensor	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BR310	文件：145.66 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE3.0AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES Idealforprintedcircuitboard Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any Weight:3.36grams	BYTES Bytes	BYTES

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详细参数

型号：
IRFE310
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 1.25A 18PIN LCC - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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