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IRFBE30S中文资料PDF规格书

IRFBE30S
厂商型号

IRFBE30S

功能描述

Power MOSFET

文件大小

511.66 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-18 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    IRFBE30S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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