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IRFB42N20DPBF中文资料PDF规格书

IRFB42N20DPBF
厂商型号

IRFB42N20DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

165.96 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 22:30:00

IRFB42N20DPBF规格书详情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Motor Control

● Uninterrutible Power Supplies

● Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRFB42N20DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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