首页>IRFB41N15D>规格书详情
IRFB41N15D中文资料PDF规格书
IRFB41N15D规格书详情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
产品属性
- 型号：
IRFB41N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
3000 |
绝对全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
5623 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
first |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
2020+ |
TO-220 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
询价 | ||
IR |
04+ |
TO-220 |
1000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
ir |
22+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
3000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 |
