IRF9530中文资料PDF规格书
IRF9530规格书详情
FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
产品属性
- 型号：
IRF9530
- 功能描述：
MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO220 |
2450 |
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询价 | ||
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7 |
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IR |
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IR |
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面议 |
19 |
TO-3P |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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IR |
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Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
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