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IRF830中文资料PDF规格书

厂商型号	IRF830
功能描述	Power MOSFET
文件大小	135.96 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	Vishay【威世科技】
中文名称	威世科技官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-25 16:02:00

IRF830规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

产品属性

型号：
IRF830
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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