选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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21000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO263 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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IRTO-263 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRD2-PAK |
12000 |
2105+ |
原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-263-2 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRSOT-3749&NBS |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263-2 |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501320 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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IRSOT-263 |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501320 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
IRF820S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF820S图片
IRF820SPBF价格
IRF820SPBF价格:¥3.5359品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF820SPBF多少钱,想知道IRF820SPBF价格是多少?参考价:¥3.5359。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF820SPBF批发价格及采购报价,IRF820SPBF销售排行榜及行情走势,IRF820SPBF报价。
IRF820S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF820S功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820STRL功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820STRR功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube