| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP |
8515 |
08+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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IRSOP |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRNA |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC44 |
18000 |
23+ |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8SO |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
32463 |
18+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRsop8 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRSOP/8 |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IORSOP-8 |
9860 |
23+24 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP8L |
3200 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP-8 |
30000 |
23 |
代理全新原装现货 价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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IRF7901D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7901D1功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7901D1PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN FETKY SO-8
IRF7901D1TR功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7901D1TRPBF功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:FETKY™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
