| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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34982 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRSOP8 |
72 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
16546 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IORSO-8 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
65400 |
23+ |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRSO-8 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市昊创电子有限公司13年
留言
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IRSOP-8 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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上海鑫科润电子科技有限公司8年
留言
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IRSOP/8 |
270 |
07+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IORSOP8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IORSOP8 |
3720 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市柯尔基电子有限公司13年
留言
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IORSOP8 |
9860 |
23+24 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
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IRF7832Z图片
IRF7832Z资讯
IRF7832ZTRPBF 深圳市鸿昌盛电子科技。
公司常备物料，全新原装现货库存，假一罚十，诚信经营。QQ:2806606533直线：0755-2948359218038005006张先生。
IRF7832Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7832Z功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7832ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7832ZPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes
IRF7832ZTR功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7832ZTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC - Tape and Reel
