| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
3275 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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IRTSSOP8 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTSSOP |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TSSOP |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司6年
留言
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IRTSSOP8 |
1000 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IRTSSOP8 |
5280 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRSOP/DIP |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTSSOP |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRDIP |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTSSOP |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologies8-TSSOP |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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5000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRTSSOP8 |
7563 |
提供BOM表配单只做原装货值得信赖 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTSSOP-8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
2000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTSSOP |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
IRF7752采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7752图片
IRF7752TRPBF价格
IRF7752TRPBF价格：￥3.6310品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRF7752TRPBF多少钱，想知道IRF7752TRPBF价格是多少？参考价：￥3.6310。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7752TRPBF批发价格及采购报价，IRF7752TRPBF销售排行榜及行情走势，IRF7752TRPBF报价。
IRF7752中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7752功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7752GPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7752GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7752HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin TSSOP
IRF7752TR功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7752TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7752TRPBF-EL制造商:International Rectifier
