| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IORSOP |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOP |
68900 |
IOR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
IRSOP8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
|
深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
|
IORSO-8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IORSOP-8 |
30000 |
07+05+ |
||||
|
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
|
IRPLCC32 |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
|
IRSOP-8 |
74694 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
IORSOP8 |
150 |
23+ |
||||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IORSOP8 |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
|||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
IRSOP8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IR8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
||||
|
深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
|
IOR |
69858 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRSOP-8 |
18063 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRSOP-8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRSOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
|
IRSOP-8 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
IRF7477采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7477图片
IRF7477资讯
IRF7477中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7477功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7477HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7477PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7477TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7477TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7477TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
