选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
15048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
19316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
19075 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONSOP8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
3558 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
3185 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP8 |
1516 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4000 |
14+ |
SO-8 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRSO-8 |
4000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
IRF746采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF746图片
IRF7468PBF价格
IRF7468PBF价格:¥1.3797品牌:IR
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IRF7465TRPBF资讯
IRF7469TRPBF
IRF7469TRPBF
IRF7465TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7460功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7460HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC
IRF7460PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7460TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7460TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R
IRF7460TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 10A 10mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7463功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7463HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
IRF7463PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7463TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件