| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
922 |
23+ |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IORSO-8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46180 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
21 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
8088 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
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IR |
10000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IORSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRSMD |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSMD |
15000 |
23+ |
全新原装现货假一赔十 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
74669 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORSMD-8 |
3200 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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原装IRSOP-8 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
4838 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORS0P8 |
42 |
04+ |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRSOP8 |
112 |
03/04+ |
全新原装100真实现货供应 |
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深圳市品优时代科技有限公司6年
留言
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IOR |
9750 |
21466+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
IRF7421采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7421图片
IRF7421D1TRPBF价格
IRF7421D1TRPBF价格：￥1.9938品牌：International
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IRF7421中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7421D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7421D1_98制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7421D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7421D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
