| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
40000 |
22+ |
A3-7货柜原装正品支持实单 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
40989 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONSOIC-8 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONSOIC-8 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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华星微半导体（深圳）有限公司1年
留言
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IRN/A |
5000 |
23+ |
代理分销,可追溯 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
160834 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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INFINEONSOIC-8 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONSOP8 |
5000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP8 |
12830 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRSO-8 |
4000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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INFINEONSOP |
50000 |
22+ |
100%公司原装现货,欢迎加Q微信咨询 |
IRF742采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF7424PBF价格
IRF7424PBF价格：￥1.6489品牌：International
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IRF7425TRPBF绝对原装进口现货可开17%增值税发票
IRF7425TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF742制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7420功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7420HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC
IRF7420PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7420TR功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7420TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7421D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7421D1_98制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7421D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
