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IRF7410PBF中文资料PDF规格书
IRF7410PBF规格书详情
Description
These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF7410PBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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