选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装,公司现货供应IRF7313TRPBF,正品现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP |
3520 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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原厂原装正品专卖价格原厂封装 |
12523 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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-SOP-8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP |
900 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
86520 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
59 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
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IRSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
23316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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IRSOP8 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
59 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌SOP |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
40000 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP |
10000 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IRSOP |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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IRSOP-8 |
6900 |
2138+ |
IRF7313采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7313图片
IRF7313TRPBF价格
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IRF7313TRPBF IR 新到现货 神舟芯电子
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IRF7313TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7313功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7313HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7313PBF功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QTRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8